Дрейфовая подвижность и подвижность определяемая из проводимости в кремнии
С помощью модифицированного импульсного метода Хайнеса и Шокли была измерена дрейфовая подвижность неосновных носителей в интервале 120—400° К в кристаллах кремния высокой чистоты р-типа и в интервале от 78 до 400° К в кристаллах кремния высокой чистоты n-типа.
Об изменении времени жизни неосновных носителей в кремнии
Артур, Бардсли, Гибсон и Хогарт показали, что определение X — времени жизни неосновных носителей, введенных в кремний, — связано со многими затруднениями, не возникающими при проведении таких экспериментов на германиевых кристаллах при комнатной температуре.
Об измерении времени жизни неосновных носителей тока в кремнии n-типа
Одной из важных характеристик любого образца из полупроводника является время жизни неосновных носителей тока, введенных в материал. Во всех лабораториях стало обычной практикой проводить грубый контроль времени жизни носителей тока во всех получаемых кристаллах.
Измерения удельного сопротивления кремния
Стандартные измерения удельного сопротивления германиевых слитков могут быть успешно выполнены с помощью усовершенствованного четырехзондового метода Беннера; в работе описываются преимущества и недостатки этого метода, так что нет необходимости...
Измерение удельного сопротивления и времени жизни полупроводников
В течение последних месяцев читатели данного журнала имели возможность ознакомиться с несколькими различными типами транзисторов и с методами получения материалов для их изготовления. Теперь вполне уместно поставить вопросы о том, как инженеры-конструкторы выбирают и...