В кристаллах с дальним порядком единичная совершенная дислокация в обычной решетке является полудислокацией в сверхрешетке. Тогда эта дислокация должна принадлежать своеобразному дефектному слою, т. е. границе антифазного домена.

В работах по систематическому изучению влияния легирования различными элементами на упрочнение твердых растворов, главным образом на основе меди, алюминия и магния, установлено, что способность атомов растворенного элемента упрочнять твердый раствор зависит от...

При образовании твердых растворов (внедрения или замещения) вакансия, или межатомная «пора», по своим размерам и форме может не соответствовать размеру атома растворенного вещества. Для того чтобы добиться такого соответствия, в кристалле должна быть...

Степень влияния различных легирующих элементов на величину критического напряжения сдвига (рис. 93) в ряде работ связывали со степенью искажения решетки, определяемой по изменению параметра решетки. Тогда график изменения dт0/вс от 1/а*da/dc должен быть линейным...

Теплая деформация обычно проводится при температурах (0,3—0,6) Tпл, и ее особенности обусловлены следующими факторами. 1. При указанных температурах происходит одновременно введение дислокаций в металл (при деформировании) и их перераспределение с...