Электромонтаж Ремонт и отделка Укладка напольных покрытий, теплые полы Тепловодоснабжение

Образование субграниц (стенок)

20.04.2019

Собирание дислокаций одного знака в стенки, определяющее полигонизацию, соответствует уменьшению энергии в кристалле. В общем случае одноименные дислокации, расположенные в разных, но параллельных плоскостях скольжения, могут либо отталкиваться, либо притягиваться. Это можно пояснить с помощью рис. 70, на котором схематически показано расположение двух взаимодействующих дислокаций D и O в плоскостях AB и EF.

Если OC меньше CD, то дислокация О будет отталкиваться от дислокации D (E): в этом случае обе дислокации можно рассматривать как лежащие в одной плоскости (расстояние ОС мало), и тогда действующие между ними силы являются почти центральными, направленными против друг друга как бы в одной плоскости скольжения. Эти силы разобщают дислокации, и при этом уменьшается энергия в кристалле.

При OC больше CD дислокация О притягивается к дислокации D (E); в результате они могут расположиться одна над другой. Это обусловлено низкой симметрией поля напряжений, окружающего краевую дислокацию (влияние угловой зависимости).
Образование субграниц (стенок)

Если в тонкой кристаллической полосе имеется краевая дислокация, то избыточная экстраплоскость вызовет изгиб этой полосы. Кристалл, содержащий две дислокации (например, дислокации О и D на рис. 70), можно представить себе как соединение двух таких полос. Эти полосы будут тем точнее подходить одна к другой, чем точнее совпадут места их изгибов: в этом случае для соединения полос в один кристалл потребуется меньшая энергия деформации. Из рис. 71 видно, что в случае соединения полос а и б потребуется меньшая энергия, и при этом возникнут меньшие искажения, чем в случае соединения полос б и в.

Образование стенок со строго выстроенными дислокациями описывается количественной теорией. Ho и приведенное выше качественное рассмотрение показывает, что образование стенок есть переход к стабильному состоянию, так как при наличии стенок упругие искажения от отдельных дислокаций будут частично компенсироваться. Поскольку в реальных условиях возможно нарушение строгого порядка в выстраивании дислокаций в связи с влиянием различных препятствий, то происходит только частичное выстраивание, приводящее к распределению дислокаций, лишь близкому к тому, которое должно быть в строго построенной стенке. Однако и в этом случае происходит компенсация упругих искажений, и стенки неполной (несовершенной) полигонизации также будут стабильными. Из изложенного вытекает, что наибольшую устойчивость (стабильность) приобретают такие стенки, у которых толщина будет порядка среднего расстояния между дислокациями внутри стенки.
Имя:*
E-Mail:
Комментарий: