Рост и дефекты полупроводниковых кристаллов
Современные полупроводники принадлежат к группе наиболее чистых и наиболее совершенных кристаллических твердых тел. Изучение их остаточных несовершенств позволяет глубоко проникнуть в физику твердого состояния; это имеет также огромное практическое значение...
Дефекты, вызванные термическими напряжениями в кристаллах, выращенных из расплавов
Структурные дефекты в кристаллах оказывают влияние на многие их свойства, особенно на такие чувствительные к структуре характеристики, как механическая прочность, поглощение излучений, подвижность электронов. Влияние структурных дефектов на электрические свойства...
Двойники роста в кристаллах с низким координационным числом
Установившийся рост монокристаллического слитка германия из расплава является по существу продолжением развития уже сформировавшейся кристаллической решетки. Однако часто наблюдаются двойники роста кристаллов, которые, по-видимому, вызываются некоторыми колебаниями...
Приготовление затравочных кристаллов
Монокристаллы полупроводниковых материалов обычно выращиваются по методу Чохральского с применением затравок. Для таких твердых материалов, как кремний и германий, обычный и довольно трудоемкий метод изготовления затравок состоит в разрезке кристалла...
Зонная очистка кремния
Зонная очистка кремния высокой чистоты в лодочке вызывает некоторые трудности, не встречающиеся при применении этого метода к менее активному в химическом отношении германию, для которого зонная плавка является обычным методом очистки.