С помощью модифицированного импульсного метода Хайнеса и Шокли была измерена дрейфовая подвижность неосновных носителей в интервале 120—400° К в кристаллах кремния высокой чистоты р-типа и в интервале от 78 до 400° К в кристаллах кремния высокой чистоты n-типа.

Артур, Бардсли, Гибсон и Хогарт показали, что определение X — времени жизни неосновных носителей, введенных в кремний, — связано со многими затруднениями, не возникающими при проведении таких экспериментов на германиевых кристаллах при комнатной температуре.

Одной из важных характеристик любого образца из полупроводника является время жизни неосновных носителей тока, введенных в материал. Во всех лабораториях стало обычной практикой проводить грубый контроль времени жизни носителей тока во всех получаемых кристаллах.

Стандартные измерения удельного сопротивления германиевых слитков могут быть успешно выполнены с помощью усовершенствованного четырехзондового метода Беннера; в работе описываются преимущества и недостатки этого метода, так что нет необходимости...

В течение последних месяцев читатели данного журнала имели возможность ознакомиться с несколькими различными типами транзисторов и с методами получения материалов для их изготовления. Теперь вполне уместно поставить вопросы о том, как инженеры-конструкторы выбирают и...