Кремний » Страница 4

Электромонтаж Ремонт и отделка Укладка напольных покрытий, теплые полы Тепловодоснабжение

Влияние дислокаций на время жизни неосновных носителей в полупроводниках

05.12.2018

Настоящая работа посвящена исследованию соотношения между структурным совершенством кристаллов германия и кремния и скоростью рекомбинации дырок и электронов. Поскольку транзисторный эффект зависит от модулирующего влияния малого числа дырок в материале...

Оптический метод определения ширины базы в выращенных n-р-n-кристаллах кремния

05.12.2018

Применение выращенных n—р—n-кристаллов кремния для изготовления полупроводниковых приборов придает особое значение необходимости точного измерения ширины базы, т. е. расстояния между эмиттерными и коллекторными переходами.

Фотопроводимость кремния, легированного золотом

05.12.2018

Тафт и Хорн показали, что золото действует как донор или как ловушка дырок в кремнии. Из полученных ими данных по зависимости удельного электросопротивления от температуры они нашли, что энергетический уровень располагается на 0,33 эв выше заполненной зоны.

Свойства кремния, легированного марганцем

05.12.2018

Легирование германиевых кристаллов примесными металлическими элементами, отличными от элементов III и V групп, дает интересные электрические и оптические эффекты. К этим эффектам относятся: более высокое удельное сопротивление кристаллов n- и р-типа...

Зависимость удельного сопротивления кремния от давления

05.12.2018

Изменение удельного сопротивления кристаллов кремния в зависимости от гидростатического давления ранее было описано Бриджмэном. Эти измерения были проведены при комнатной температуре на относительно загрязненных кристаллах n- и р-типа при давлениях до 30 000 кг/см2.


1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 12 Назад Вперед