Электромонтаж Ремонт и отделка Укладка напольных покрытий, теплые полы Тепловодоснабжение

Некоторые наблюдения по росту и травлению кристаллов со структурой алмаза или цинковой обманки

05.12.2018

Недавно была разработана техника получения дендритных кристаллов германия и других твердых тел со структурой алмаза или цинковой обманки в форме длинных тонких пластин достаточно равномерной ширины. Эти пластины являются совершенными монокристаллами и часто обнаруживают большие грани высокой степени совершенства. Вследствие их полярности две противоположные грани любого дендрита не являются кристаллографически идентичными и обнаруживают характерные различия. Лауэграммы отражения от двух главных граней всегда показывают тройную симметрию и соответствуют плоскостям {111} с наибольшей плотностью упаковки атомов. Картины, полученные от двух противоположных граней, повернуты друг к другу на 180° соответственно плоскостям (111) и (111) (фиг. 1) Как показано на фиг. 2, одна грань обычно несколько шире и обладает более высокой степенью совершенства, чем другая. Из лауэграмм, снятых с ряда дендритов, установленных согласно их действительному направлению роста (по направлению вниз), было найдено, что более широкие и более совершенные грани всегда дают систему пятен, ориентированную в одном и том же направлении, т. е. и другие совершенно определенные отражения ниже центрального пятна, в то время как менее совершенная грань дает противоположную картину. В каждом случае было найдено, что основным направлением роста дендрита является.

Дальнейшее характерное различие этих двух граней выявляется при травлении. При действии подходящего травителя, например AgNO3, ямки травления имеют тенденцию к образованию полых тетраэдров, связанных четырьмя плоскостями {111}, так что на грани (111) фигуры принимают форму равносторонних треугольников, стороны которых расположены вдоль трех направлений <110>. На более совершенной грани (111) каждая фигура травления имеет один угол, обращенный в направлении [112], т. е. в направлении растущего конца дендрита, в то время как на другой грани (111) фигуры обращены в сторону от растущего конца дендрита— в направлении [112] (см. фиг. 1).

Оба эти явления, т. е. различие в совершенстве двух противоположных граней и различная ориентация фигур травления на них, могут быть поняты, если подробно рассмотреть, как отдельные атомные слои укладываются на поверхности грани (111) кристалла. Край такого растущего слоя образуется зигзагообразной цепочкой атомов, расположенной вдоль направления [110] в плоскости (111). Рассмотрение трехмерной структурной модели показывает, что атом из расплава, достигнув этой ступени, находит две связи для осуществления сцепления, если эта ступень расположена в одном определенном направлении, а не в другом. Распространение полуплоскости в стороны, т. е. рост кристалла путем отложения новых цепочек, может, таким образом, происходить легко только в одном направлении, но не может осуществиться в противоположном. Этими благоприятными направлениями роста являются [112] для граней (111) и [112] для грани (111). Наоборот, удаление цепочек при травлении происходит легче с уступа, имеющего другое направление.
Имя:*
E-Mail:
Комментарий: